Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -136.7 A, -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5207DP-T1-UE3

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N° de stock RS:
735-202
Référence fabricant:
SIR5207DP-T1-UE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

P-Channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-136.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0042Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

139nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

6.25mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

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