Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -136.7 A, -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5207DP-T1-UE3
- N° de stock RS:
- 735-202
- Référence fabricant:
- SIR5207DP-T1-UE3
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
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- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -136.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -20V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0042Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 139nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.26mm | |
| Length | 6.25mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -136.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -20V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0042Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.7W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 139nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.26mm | ||
Length 6.25mm | ||
Height 1.12mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
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