Vishay SIR5607DP Type P-Channel MOSFET, 90.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5607DP-T1-UE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

4 923,00 €

(TVA exclue)

5 958,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +1,641 €4 923,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
653-195
Référence fabricant:
SIR5607DP-T1-UE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

90.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SIR5607DP

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.007Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay P-channel MOSFET designed for efficient switching in Compact power systems. It supports up to 60 V drain-source voltage and is housed in a PowerPAK SO-8 package. Built using TrenchFET Gen V technology, it offers very low RDS(on), which minimizes voltage drop and conduction losses.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Liens connexes