Vishay SISS26DN N channel-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS26DN-T1-UE3

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736-351
Référence fabricant:
SISS26DN-T1-UE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SISS26DN

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0045Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Width

3.3mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for power management applications, featuring robust specifications and efficient operation tailored for demanding electronic environments.

TrenchFET Gen IV technology ensures superior performance and efficiency

Capable of handling a maximum drain-source voltage of 60 V

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