Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 90.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5607DP-T1-RE3
- N° de stock RS:
- 279-9950
- Référence fabricant:
- SIR5607DP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
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- Référence fabricant:
- SIR5607DP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SiR | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.007Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 112nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SiR | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.007Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 112nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Less voltage drop
Reduces conduction loss
Fully lead (Pb)-free device
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