ROHM RQ3N MOSFET, 10 A, 80 V, 8-Pin HSMT-8 RQ3N040ATTB1
- N° de stock RS:
- 329-148
- Référence fabricant:
- RQ3N040ATTB1
- Fabricant:
- ROHM
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- N° de stock RS:
- 329-148
- Référence fabricant:
- RQ3N040ATTB1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Series | RQ3N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 126mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 15W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Series RQ3N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 126mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 15W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET is a low-on resistance and High power package, suitable for switching and motor drives. It features low on resistance and a built-in gate-source protection diode making it suitable for use in DC-Dc converters and other power management circuits.
High Power small mold Package
Pb free plating and RoHS compliant
100 percent Rg and UIS tested
Halogen Free
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