ROHM N channel-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin HSMT RQ3L120BLFRATCB

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N° de stock RS:
780-679
Référence fabricant:
RQ3L120BLFRATCB
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

HSMT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

40W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.1mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

0.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive power management. This AEC-Q101 qualified device is engineered for ADAS and body control systems, ensuring efficient operation in demanding vehicle environments up to 150°C.

Drain to source voltage of 60 V

Continuous drain current of 12 A

35 mΩ typical on-resistance at 10 V

Low gate charge of 7.5 nC for fast switching

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