ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KC5TB1

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264-764
Référence fabricant:
HT8KC5TB1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

HSMT-8

Series

HP8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

13W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.1nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The ROHM 60V 10A Dual Nch+Pch is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

High Power small mold Package (HSMT8)

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