ROHM P-Channel MOSFET, 7 A, -80 V, 8-Pin HSMT RQ3N025ATTB1
- N° de stock RS:
- 780-367
- Référence fabricant:
- RQ3N025ATTB1
- Fabricant:
- ROHM
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- N° de stock RS:
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- Fabricant:
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -80V | |
| Package Type | HSMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 14W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 0.8mm | |
| Width | 3.4mm | |
| Length | 3.45mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -80V | ||
Package Type HSMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 14W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 0.8mm | ||
Width 3.4mm | ||
Length 3.45mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET delivers high-performance P-channel switching for motor drive and power management. This robust device is engineered for high-speed operation, ensuring efficient performance in demanding DC to DC converters.
Drain to source voltage of -30 V
Continuous drain current of -13 A
High-speed switching performance
Compact TSMT6 surface-mount package
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