ROHM N channel-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 8-Pin HSMT RQ3P120BLFRATCB
- N° de stock RS:
- 780-680
- Référence fabricant:
- RQ3P120BLFRATCB
- Fabricant:
- ROHM
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- N° de stock RS:
- 780-680
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- Fabricant:
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | HSMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 83mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.9mm | |
| Width | 3.1mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type HSMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 83mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.9mm | ||
Width 3.1mm | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive power management. This AEC-Q101 qualified device is engineered for ADAS and infotainment systems, ensuring efficient operation in a Compact 3.2mm x 3mm footprint.
Drain to source voltage of 100 V
Continuous drain current of 12 A
High power dissipation of 40 W
Compact HSMT8AG surface mount package
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