Vishay Type N-Channel Power MOSFET, 3 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD3N50D-GE3

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N° de stock RS:
145-1656
Référence fabricant:
SIHD3N50D-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

2.38mm

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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