Vishay E Type N-Channel MOSFET, 6.4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD690N60E-GE3

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N° de stock RS:
200-6828
Référence fabricant:
SIHD690N60E-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

700mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SIHD690N60E-GE3 is a E Series power MOSFET.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

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