Références fabricant

Vishay E N-Channel MOSFET, 6.4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD690N60E-GE3

N° de stock RS:: 200-6828
Référence fabricant:: SIHD690N60E-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay E N-Channel MOSFET, 6.4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD690N60E-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 200-6828
Référence fabricant:: SIHD690N60E-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-252
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	700mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-252
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 700mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Document- SIHD690N60E-GE3

The Vishay SIHD690N60E-GE3 is a E Series power MOSFET.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Liens connexes

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