Vishay E Type N-Channel MOSFET, 4.4 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SiHD5N80AE-GE3
- N° de stock RS:
- 228-2852
- Référence fabricant:
- SiHD5N80AE-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
9,62 €
(TVA exclue)
11,64 €
(TVA incluse)
Ajouter 80 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- Plus 2 140 unité(s) expédiée(s) à partir du 18 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,962 € | 9,62 € |
| 100 - 240 | 0,932 € | 9,32 € |
| 250 - 490 | 0,886 € | 8,86 € |
| 500 - 990 | 0,846 € | 8,46 € |
| 1000 + | 0,798 € | 7,98 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 228-2852
- Référence fabricant:
- SiHD5N80AE-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 850V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | E | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.35Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 850V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series E | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.35Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Liens connexes
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD6N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD11N80AE-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA24N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHP17N80AEF-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG21N80AEF-GE3