Vishay D Series N-Channel MOSFET, 3 A, 500 V, 3-Pin DPAK SIHD3N50D-GE3

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N° de stock RS:
787-9143
Référence fabricant:
SIHD3N50D-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Series

D Series

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

6.22mm

Height

2.38mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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