Références fabricant

Vishay Single D Series N-Channel MOSFET, 3 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD3N50D-GE3

N° de stock RS:: 787-9143
Référence fabricant:: SIHD3N50D-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Single D Series N-Channel MOSFET, 3 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD3N50D-GE3

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Produit de remplacement

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Vishay D Series N-Channel Power MOSFET, 3 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD3N50D-GE3

N° de stock RS: 145-1656

L'unité (dans un tube de 50)

35,90 €

(TVA exclue)

43,44 €

(TVA incluse)

N° de stock RS:: 787-9143
Référence fabricant:: SIHD3N50D-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Transistor Configuration	Single
	Series	D Series
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	3 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	500 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	3
	Package Type	TO-252
	Height	2.38 mm
	Length	6.73 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	3.2 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	30 V, -30 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	104 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Width	6.22 mm

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Transistor Configuration Single
	Series D Series
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 3 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 500 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 3
	Package Type TO-252
	Height 2.38 mm
	Length 6.73 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 3.2 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 30 V, -30 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 104 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Width 6.22 mm

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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