Vishay Single D Series N-Channel MOSFET, 3 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD3N50D-GE3
- N° de stock RS:
- 787-9143
- Référence fabricant:
- SIHD3N50D-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- 787-9143
- Référence fabricant:
- SIHD3N50D-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | D Series | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30, -30V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 6.22mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series D Series | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30, -30V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Length 6.73mm | ||
Width 6.22mm | ||
Height 2.38mm | ||
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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