Vishay EF Series N channel-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD250N60EF-GE3
- N° de stock RS:
- 735-240
- Référence fabricant:
- SIHD250N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
2,50 €
(TVA exclue)
3,02 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 24 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,50 € |
| 10 - 24 | 1,62 € |
| 25 - 99 | 0,85 € |
| 100 - 499 | 0,83 € |
| 500 + | 0,82 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 735-240
- Référence fabricant:
- SIHD250N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | EF Series | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.269Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 78W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series EF Series | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.269Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 78W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
Liens connexes
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG186N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SiHB186N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHA186N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA22N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG70N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG33N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SiHB28N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB155N60EF-GE3
