Vishay SiHD2N80AE Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD2N80AE-GE3
- N° de stock RS:
- 188-4982
- Référence fabricant:
- SIHD2N80AE-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
8,33 €
(TVA exclue)
10,08 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Stock limité
- Plus 1 400 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,833 € | 8,33 € |
| 100 - 240 | 0,751 € | 7,51 € |
| 250 - 490 | 0,708 € | 7,08 € |
| 500 - 990 | 0,542 € | 5,42 € |
| 1000 + | 0,505 € | 5,05 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 188-4982
- Référence fabricant:
- SIHD2N80AE-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | SiHD2N80AE | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.9Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.25mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-38-847 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series SiHD2N80AE | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.25mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-38-847 | ||
E Series Power MOSFET.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
APPLICATIONS
Server and telecom power supplies
Switch mode power supplies (SMPS)
Power factor correction power supplies (PFC)
Liens connexes
- Vishay N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin DPAK SIHD2N80AE-GE3
- Vishay E N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin IPAK SIHU2N80AE-GE3
- Vishay E N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin DPAK SIHD11N80AE-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin DPAK SIHD186N60EF-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK SUD23N06-31-GE3
- Vishay D Series N-Channel MOSFET 500 V, 3-Pin DPAK SIHD3N50D-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-247AC SIHG21N80AE-GE3