Références fabricant

Vishay Si2319CDS Type P-Channel MOSFET, 4.4 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

N° de stock RS:: 919-4208
Référence fabricant:: SI2319CDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si2319CDS Type P-Channel MOSFET, 4.4 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

627,00 €

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3000 +	0,209 €	627,00 €

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N° de stock RS:: 919-4208
Référence fabricant:: SI2319CDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	Si2319CDS
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	108mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13.6nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Height	1.02mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series Si2319CDS
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 108mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.6nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Height 1.02mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100 % Rg Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Load Switch

• DC/DC Converter

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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