Vishay Si2319CDS Type P-Channel MOSFET, 4.4 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2319CDS-T1-GE3

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Référence fabricant:
SI2319CDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

Si2319CDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

108mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Automotive Standard

No

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100 % Rg Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Load Switch

• DC/DC Converter

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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