Vishay Si2305CDS Type P-Channel MOSFET, 4.4 A, 8 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2305CDS-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 710-3248
- Référence fabricant:
- SI2305CDS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 20 unités)*
6,46 €
(TVA exclue)
7,82 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Dernier stock RS
- Plus 2 340 unité(s) expédiée(s) à partir du 22 juin 2026
- 47 520 unité(s) finale(s) expédiée(s) à partir du 29 juin 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,323 € | 6,46 € |
| 200 - 480 | 0,226 € | 4,52 € |
| 500 - 980 | 0,194 € | 3,88 € |
| 1000 - 1980 | 0,162 € | 3,24 € |
| 2000 + | 0,145 € | 2,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 710-3248
- Référence fabricant:
- SI2305CDS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 8V | |
| Series | Si2305CDS | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 960mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.02mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 8V | ||
Series Si2305CDS | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 960mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.02mm | ||
Length 3.04mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay Si2305CDS Type P-Channel MOSFET 8 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2319CDS Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2319CDS-T1-GE3
- Vishay Si2319CDS Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301HDS-T1-GE3
- Vishay TP0610K Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 TP0610K-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2307CDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2369DS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2347DS-T1-GE3
