Vishay Si2305CDS Type P-Channel MOSFET, 4.4 A, 8 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2305CDS-T1-GE3

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710-3248
Référence fabricant:
SI2305CDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

4.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

8V

Series

Si2305CDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

960mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

1.4 mm

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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