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Vishay Si2333DDS Type P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3

N° de stock RS:: 919-4220
Référence fabricant:: SI2333DDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si2333DDS Type P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3

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Vishay Si2333DDS Type P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3

N° de stock RS: 787-9222

L'unité (en paquet de 10)

3,38 €

(TVA exclue)

4,09 €

(TVA incluse)

N° de stock RS:: 919-4220
Référence fabricant:: SI2333DDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Series	Si2333DDS
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	19Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.4mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.02mm
	Length	3.04mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Series Si2333DDS
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 19Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.4mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.02mm
	Length 3.04mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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