Vishay Si2333DDS Type P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

411,00 €

(TVA exclue)

498,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 39 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,137 €411,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
919-4220
Référence fabricant:
SI2333DDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

Si2333DDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

19Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.04mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes