Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

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N° de stock RS:
919-0266
Référence fabricant:
SI2308BDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Series

Si2308BDS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.192Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.66W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.3nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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