Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Voir l’ensemble des MOSFETs
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau en stock, il n'est plus vendu par le fabricant.
N° de stock RS:
919-0266
Référence fabricant:
SI2308BDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

Si2308BDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.192Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.66W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes