Vishay Si2301CDS Type P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301CDS-T1-GE3

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710-3238
Référence fabricant:
SI2301CDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

Si2301CDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

112mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

860mW

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Width

1.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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