Vishay Si2301CDS Type P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301CDS-T1-GE3

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

6,16 €

(TVA exclue)

7,46 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 220 restante(s), prêt à être expédié
  • Plus 260 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • 2 680 unité(s) finale(s) expédiée(s) à partir du 16 janvier 2026
Unité
Prix par unité
le paquet*
20 - 1800,308 €6,16 €
200 - 4800,247 €4,94 €
500 - 9800,185 €3,70 €
1000 - 19800,154 €3,08 €
2000 +0,139 €2,78 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
710-3238
Référence fabricant:
SI2301CDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

Si2301CDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

112mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

860mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes