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Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-GE3

N° de stock RS:: 710-3257
Référence fabricant:: SI2308BDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-GE3

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Unité	Prix par unité	le paquet*
20 - 180	0,453 €	9,06 €
200 - 480	0,34 €	6,80 €
500 - 980	0,317 €	6,34 €
1000 - 1980	0,273 €	5,46 €
2000 +	0,226 €	4,52 €

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N° de stock RS:: 710-3257
Référence fabricant:: SI2308BDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Series	Si2308BDS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.192Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.66W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Height	1.02mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21
	Width	1.4 mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Series Si2308BDS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.192Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.66W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Height 1.02mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21
	Width 1.4 mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-GE3

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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