Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 710-3257
- Référence fabricant:
- SI2308BDS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
9,06 €
(TVA exclue)
10,96 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 220 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,453 € | 9,06 € |
| 200 - 480 | 0,34 € | 6,80 € |
| 500 - 980 | 0,317 € | 6,34 € |
| 1000 - 1980 | 0,273 € | 5,46 € |
| 2000 + | 0,226 € | 4,52 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 710-3257
- Référence fabricant:
- SI2308BDS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | Si2308BDS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.192Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.3nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.66W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21 | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series Si2308BDS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.192Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.3nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.66W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21 | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.02mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-E3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2301CDS Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301CDS-T1-GE3
- Vishay Si2301CDS Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TP0610K Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 TP0610K-T1-GE3
- Vishay Si2309CDS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2309CDS-T1-GE3
- Vishay 2N7002K Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002K-T1-GE3