Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON BSZ050N03MSGATMA1

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827-5246
Référence fabricant:
BSZ050N03MSGATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

OptiMOS™ 3

Package Type

TSDSON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

5.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

48 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 10 V

Length

3.4mm

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Statut RoHS non applicable

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