Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 110 mA, 240 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 250 unités)*

42,50 €

(TVA exclue)

52,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 27 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
250 - 2500,17 €42,50 €
500 - 10000,09 €22,50 €
1250 - 22500,085 €21,25 €
2500 - 60000,078 €19,50 €
6250 +0,073 €18,25 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
827-0070
Numéro d'article Distrelec:
304-44-424
Référence fabricant:
BSS131H6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

240V

Package Type

SOT-23

Series

SIPMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

20Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.1nC

Forward Voltage Vf

0.81V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

360mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.9mm

Width

1.3 mm

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes