Références fabricant

Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138NH6433XTMA1

N° de stock RS:: 178-7507
Numéro d'article Distrelec:: 304-24-004
Référence fabricant:: BSS138NH6433XTMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138NH6433XTMA1

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Unité	Prix par unité	la bobine*
10000 - 10000	0,034 €	340,00 €
20000 - 20000	0,033 €	330,00 €
30000 +	0,032 €	320,00 €

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N° de stock RS:: 178-7507
Numéro d'article Distrelec:: 304-24-004
Référence fabricant:: BSS138NH6433XTMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	230mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SIPMOS
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.83V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	360mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.3 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	2.9mm
	Height	1mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 230mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SIPMOS
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.83V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 360mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.3 mm
	Standards/Approvals No
	Length 2.9mm
	Height 1mm
	Automotive Standard AEC-Q101

BSS138N SIPMOS Small Signal Transistor Datasheet

N-Channel Small Signal MOSFET 60 V in SOT23 package

Infineon technologies offers automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N and P-Channel Small Signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality requirements in well-known industry standard packages. With unmatched levels of reliability and manufacturing capacity these components are ideally suited for a wide variety of applications including LED lighting, ADAS, body control units, SMPS and motor control.

Summary of Features

•Enhancement mode

•Logic level

•Avalanche rated

•Fast switching

•Dv/dt rated

•Pb-free lead-plating

•RoHS compliant, halogen-free

•Qualified according to automotive standards

•PPAP capable

Benefits

•Low RDS(on) provides higher efficiency and extends battery life

•Small packages save PCB space

•Best-in-class quality and reliability

Potential Applications

•Automotive

•Lighting

•Battery management

•Load switch

•DC-DC

•eMobility

•Motor control

•Onboard charger

•Telecom