Références fabricant

Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3

N° de stock RS:: 165-6285
Référence fabricant:: SQ4431EY-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 165-6285
Référence fabricant:: SQ4431EY-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Series	SQ Rugged
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	52mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	6W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Height	1.55mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Series SQ Rugged
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 6W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4mm
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Height 1.55mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: CN

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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