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Vishay Si7121DN Type P-Channel MOSFET, 9.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SI7121DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 818-1380
Référence fabricant:: SI7121DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si7121DN Type P-Channel MOSFET, 9.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SI7121DN-T1-GE3

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N° de stock RS:: 818-1380
Référence fabricant:: SI7121DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	9.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	Si7121DN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	26mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	27.8W
	Minimum Operating Temperature	-50°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	33nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.07mm
	Length	3.15mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 9.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series Si7121DN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 27.8W
	Minimum Operating Temperature -50°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.07mm
	Length 3.15mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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