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Vishay SiHF634S Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF634S-GE3

N° de stock RS:: 815-2632
Référence fabricant:: SIHF634S-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiHF634S Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF634S-GE3

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N° de stock RS:: 815-2632
Référence fabricant:: SIHF634S-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Series	SiHF634S
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	450mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	41nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	74W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	9.65 mm
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Series SiHF634S
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 450mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 74W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 9.65 mm
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Vishay SiHF634S Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF634S-GE3

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N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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