Vishay SiHF630S Type N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF630STRL-GE3

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N° de stock RS:
815-2623
Référence fabricant:
SIHF630STRL-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-263

Series

SiHF630S

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

400mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

74W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Forward Voltage Vf

2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

9.65 mm

Height

4.83mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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