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Vishay Si4435DDY Type P-Channel MOSFET, 8.1 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4435DDY-T1-GE3

N° de stock RS:: 919-0288
Référence fabricant:: SI4435DDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si4435DDY Type P-Channel MOSFET, 8.1 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4435DDY-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 919-0288
Référence fabricant:: SI4435DDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	Si4435DDY
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	24mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	32nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Height	1.5mm
	Width	4mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series Si4435DDY
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Height 1.5mm
	Width 4mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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