Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB085N60EF-GE3
- N° de stock RS:
- 268-8293
- Référence fabricant:
- SIHB085N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8293
- Référence fabricant:
- SIHB085N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 34A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SIHB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.084Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 184W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 63nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 34A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SIHB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.084Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 184W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode and 4 generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correctio
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit
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