Références fabricant

Vishay SiHF530S N-Channel MOSFET, 14 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF530STRR-GE3

N° de stock RS:: 815-2613
Référence fabricant:: SIHF530STRR-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiHF530S N-Channel MOSFET, 14 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF530STRR-GE3

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

12,44 €

(TVA exclue)

15,05 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 28 mai 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 90	1,244 €	12,44 €
100 - 240	1,169 €	11,69 €
250 - 490	1,056 €	10,56 €
500 - 990	0,995 €	9,95 €
1000 +	0,935 €	9,35 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 815-2613
Référence fabricant:: SIHF530STRR-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	14A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-263
	Series	SiHF530S
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	160mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	2.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	88W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	26nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Height	4.83mm
	Width	9.65mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 14A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-263
	Series SiHF530S
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 2.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 88W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Height 4.83mm
	Width 9.65mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.