Vishay SiHF530S Type N-Channel MOSFET, 14 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF530STRR-GE3
- N° de stock RS:
- 815-2613
- Référence fabricant:
- SIHF530STRR-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
13,51 €
(TVA exclue)
16,35 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 26 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,351 € | 13,51 € |
| 100 - 240 | 1,27 € | 12,70 € |
| 250 - 490 | 1,147 € | 11,47 € |
| 500 - 990 | 1,08 € | 10,80 € |
| 1000 + | 1,015 € | 10,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 815-2613
- Référence fabricant:
- SIHF530STRR-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SiHF530S | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 88W | |
| Forward Voltage Vf | 2.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 9.65 mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SiHF530S | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 88W | ||
Forward Voltage Vf 2.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 9.65 mm | ||
Height 4.83mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay SiHF530S Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF630S Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF630STRL-GE3
- Vishay SiHFBC30AS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHFBC30AS-GE3
- Vishay SiHF620S Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF620S-GE3
- Vishay SiHF634S Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF634S-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB30N60E-GE3
- Vishay SiHF840S Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF840STRL-GE3
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB080N60E-GE3