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Vishay SiHF620S Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF620S-GE3

N° de stock RS:: 815-2629
Référence fabricant:: SIHF620S-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiHF620S Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF620S-GE3

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N° de stock RS:: 815-2629
Référence fabricant:: SIHF620S-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-263
	Series	SiHF620S
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	800mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-263
	Series SiHF620S
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 800mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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