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Vishay SiB406EDK Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-75 SIB406EDK-T1-GE3

N° de stock RS:: 814-1247
Référence fabricant:: SIB406EDK-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiB406EDK Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-75 SIB406EDK-T1-GE3

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N° de stock RS:: 814-1247
Référence fabricant:: SIB406EDK-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SC-75
	Series	SiB406EDK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	63mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Maximum Power Dissipation Pd	10W
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	1.7mm
	Width	1.7 mm
	Height	0.8mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SC-75
	Series SiB406EDK
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 63mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Maximum Power Dissipation Pd 10W
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 1.7mm
	Width 1.7 mm
	Height 0.8mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Vishay SiB406EDK Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-75 SIB406EDK-T1-GE3

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N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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