Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3

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N° de stock RS:
787-9005
Référence fabricant:
SI1012CR-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

630mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SC-75

Series

Si1012CR

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

240mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

0.86 mm

Length

1.68mm

Height

0.8mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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