Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 787-9005
- Référence fabricant:
- SI1012CR-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 20 unités)*
5,16 €
(TVA exclue)
6,24 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 02 juin 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,258 € | 5,16 € |
| 200 - 480 | 0,18 € | 3,60 € |
| 500 - 980 | 0,16 € | 3,20 € |
| 1000 - 1980 | 0,14 € | 2,80 € |
| 2000 + | 0,137 € | 2,74 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 787-9005
- Référence fabricant:
- SI1012CR-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 630mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SC-75 | |
| Series | Si1012CR | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 240mW | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 1.68mm | |
| Height | 0.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 630mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SC-75 | ||
Series Si1012CR | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 240mW | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 1.68mm | ||
Height 0.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1032R-T1-GE3
- Vishay SiB406EDK Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-75 SIB406EDK-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1021R-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75
- Vishay SIB Type N-Channel MOSFET 6 V PowerPAK SC-75 SIB4316EDK-T1-GE3
- Vishay SiB406EDK Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-75
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin SC-70 SIA4446DJ-T1-GE3
