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Vishay Si1012CR N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3

N° de stock RS:: 165-7259
Référence fabricant:: SI1012CR-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si1012CR N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3

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N° de stock RS:: 165-7259
Référence fabricant:: SI1012CR-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	630mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SC-75
	Series	Si1012CR
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.3nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-8V, +8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	800mV
	Maximum Power Dissipation Pd	240mW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	800μm
	Standards/Approvals	No
	Width	860μm
	Length	1.68mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 630mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SC-75
	Series Si1012CR
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.3nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 800mV
	Maximum Power Dissipation Pd 240mW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 800μm
	Standards/Approvals No
	Width 860μm
	Length 1.68mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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