Vishay Si4178DY Type N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3

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812-3205
Référence fabricant:
SI4178DY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

Si4178DY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Forward Voltage Vf

0.85V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Height

1.55mm

Width

4 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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