Vishay Si4178DY Type N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 812-3205
- Référence fabricant:
- SI4178DY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 500 - 980 | 0,401 € | 8,02 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 812-3205
- Référence fabricant:
- SI4178DY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | Si4178DY | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 33mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.85V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.55mm | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOIC | ||
Series Si4178DY | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.85V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.55mm | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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