Vishay Si4162DY Type N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3

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710-3323
Référence fabricant:
SI4162DY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

13.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

Si4162DY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.5mm

Length

5mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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