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Vishay Si4431CDY Type P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4431CDY-T1-GE3

N° de stock RS:: 812-3215
Référence fabricant:: SI4431CDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si4431CDY Type P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4431CDY-T1-GE3

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200 - 480	0,622 €	12,44 €
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N° de stock RS:: 812-3215
Référence fabricant:: SI4431CDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	Si4431CDY
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	49mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-0.71V
	Maximum Power Dissipation Pd	4.2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Height	1.55mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series Si4431CDY
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 49mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -0.71V
	Maximum Power Dissipation Pd 4.2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Height 1.55mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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