Vishay Si4431CDY Type P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4431CDY-T1-GE3

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812-3215
Référence fabricant:
SI4431CDY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

Si4431CDY

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

49mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

4.2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-0.71V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.55mm

Length

5mm

Width

4 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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