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Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 20.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3

N° de stock RS:: 812-3195
Référence fabricant:: SI4124DY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 20.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3

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N° de stock RS:: 812-3195
Référence fabricant:: SI4124DY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	20.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SOIC
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.009Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	5.7W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.55mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 20.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SOIC
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.009Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 5.7W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.55mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21
	Length 5mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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