Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 20.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC

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N° de stock RS:
165-7274
Référence fabricant:
SI4124DY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

5.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Width

4 mm

Height

1.55mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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