IXYS HiperFET, Polar3 N-Channel MOSFET, 112 A, 500 V, 4-Pin SOT-227 IXFN132N50P3

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N° de stock RS:
804-7599
Référence fabricant:
IXFN132N50P3
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

112 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET, Polar3

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

39 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

1.5 kW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Width

25.07mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

250 nC @ 10 V

Length

38.23mm

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

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