IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 145 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

49,94 €

(TVA exclue)

60,43 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 13 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 449,94 €
5 +44,69 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
146-4398
Numéro d'article Distrelec:
302-53-364
Référence fabricant:
IXFN150N65X2
Fabricant:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

145A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

17mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

335nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Width

25.07 mm

Distrelec Product Id

30253364

Automotive Standard

No

Low RDS(ON) and Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

Resonant mode power supplies

High intensity discharge (HID) lamp ballast

AC and DC motor drives

DC-DC converters

Robotic and servo control

Battery chargers

3-level solar inverters

LED lighting

Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)

Higher efficiency

High power density

Easy to mount

Space savings

Liens connexes