Vishay SQ2337CES P-Channel MOSFET, -2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23-3 SQ2337CES-T1_BE3

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735-120
Référence fabricant:
SQ2337CES-T1_BE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

P-Channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SOT-23-3

Series

SQ2337CES

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.29Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.2mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
DE
The Vishay Power MOSFET offers high efficiency and reliability in automotive applications by managing electrical energy effectively and ensuring robust performance in demanding environments.

Wide operating temperature range from -55 to +175 °C for diverse environmental conditions

Maximum power dissipation of 3W supports demanding electrical loads

On-state resistance as low as 0.290 Ω at -10V for optimal power handling

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