Vishay SQ2337CES P-Channel MOSFET, -2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23-3 SQ2337CES-T1_BE3
- N° de stock RS:
- 735-120
- Référence fabricant:
- SQ2337CES-T1_BE3
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
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- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -2.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | SQ2337CES | |
| Package Type | SOT-23-3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.29Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 6.2mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -2.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series SQ2337CES | ||
Package Type SOT-23-3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.29Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.5nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 6.2mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
The Vishay Power MOSFET offers high efficiency and reliability in automotive applications by managing electrical energy effectively and ensuring robust performance in demanding environments.
Wide operating temperature range from -55 to +175 °C for diverse environmental conditions
Maximum power dissipation of 3W supports demanding electrical loads
On-state resistance as low as 0.290 Ω at -10V for optimal power handling
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