Vishay Si4850EY Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4850EY-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 787-9014
- Référence fabricant:
- SI4850EY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 50 - 120 | 1,27 € | 6,35 € |
| 125 - 245 | 1,104 € | 5,52 € |
| 250 - 495 | 0,91 € | 4,55 € |
| 500 + | 0,714 € | 3,57 € |
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- N° de stock RS:
- 787-9014
- Référence fabricant:
- SI4850EY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | Si4850EY | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 47mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.3W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4 mm | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series Si4850EY | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 47mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.3W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4 mm | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.5mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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