Références fabricant

Vishay Si4850EY N-Channel MOSFET, 8.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4850EY-T1-GE3

N° de stock RS:: 787-9014
Référence fabricant:: SI4850EY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si4850EY N-Channel MOSFET, 8.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4850EY-T1-GE3

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

12,06 €

(TVA exclue)

14,60 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

150 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 45	2,412 €	12,06 €
50 - 120	2,05 €	10,25 €
125 - 245	1,784 €	8,92 €
250 - 495	1,472 €	7,36 €
500 +	1,154 €	5,77 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 787-9014
Référence fabricant:: SI4850EY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOIC
	Series	Si4850EY
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	47mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	3.3W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.5mm
	Width	4mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOIC
	Series Si4850EY
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 47mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 3.3W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.5mm
	Width 4mm
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.