Vishay Si4850EY Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4850EY-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 787-9014
- Référence fabricant:
- SI4850EY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
11,28 €
(TVA exclue)
13,65 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 1 945 unité(s) expédiée(s) à partir du 08 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,256 € | 11,28 € |
| 50 - 120 | 1,918 € | 9,59 € |
| 125 - 245 | 1,668 € | 8,34 € |
| 250 - 495 | 1,376 € | 6,88 € |
| 500 + | 1,08 € | 5,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 787-9014
- Référence fabricant:
- SI4850EY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | Si4850EY | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 47mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.3W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series Si4850EY | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 47mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.3W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay Si4850EY Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4946BEY-T1-GE3
- Vishay Si9407BDY Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SOIC SI4559ADY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4154DY-T1-GE3
- Vishay Si4162DY Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4128DY-T1-GE3
