Vishay Si4850EY Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4850EY-T1-GE3

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787-9014
Référence fabricant:
SI4850EY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

Si4850EY

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

47mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Maximum Power Dissipation Pd

3.3W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Height

1.5mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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