Vishay Si2309CDS Type P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2309CDS-T1-GE3

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Référence fabricant:
SI2309CDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

Si2309CDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

345mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.7nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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