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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 104 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4115PBF

N° de stock RS:: 688-6932
Numéro d'article Distrelec:: 304-29-286
Référence fabricant:: IRFB4115PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 104 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4115PBF

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2 - 18	2,375 €	4,75 €
20 - 48	2,09 €	4,18 €
50 - 98	1,97 €	3,94 €
100 - 198	1,83 €	3,66 €
200 +	1,685 €	3,37 €

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N° de stock RS:: 688-6932
Numéro d'article Distrelec:: 304-29-286
Référence fabricant:: IRFB4115PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	104A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	77nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	380W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	9.02mm
	Width	4.83 mm
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 104A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 77nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 380W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 9.02mm
	Width 4.83 mm
	Length 10.67mm
	Automotive Standard No

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