Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 85 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220

N° de stock RS:: 178-1416
Référence fabricant:: IRFB4321PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 85 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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N° de stock RS:: 178-1416
Référence fabricant:: IRFB4321PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	85A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	71nC
	Maximum Power Dissipation Pd	350W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.66mm
	Height	9.02mm
	Width	4.82mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 85A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 71nC
	Maximum Power Dissipation Pd 350W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.66mm
	Height 9.02mm
	Width 4.82mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

IRFB4321PbF, HEXFET Power MOSFET

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