Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 106 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

7,57 €

(TVA exclue)

9,16 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 70 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 400,757 €7,57 €
50 - 4900,693 €6,93 €
500 - 9900,595 €5,95 €
1000 - 24900,584 €5,84 €
2500 +0,573 €5,73 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-5248
Référence fabricant:
BSZ0902NSATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

106A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PG-TSDSON-8FL

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an excellent gate charge. It is qualified according to JEDEC for target applications and it is 100 percent avalanche tested. It is a optimized for high performance buck converter.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Superior thermal resistance

Liens connexes