Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 142 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0901NSIATMA1

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273-5245
Référence fabricant:
BSZ0901NSIATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

142A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-TSDSON-8FL

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Power Dissipation Pd

69W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an integrated monolithic schottky like diode. It is qualified according to JEDEC for target applications and it is 100 percent avalanche tested. Optimized SyncFET for high performance buck converter.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Superior thermal resistance

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